W25Q32JV
Winbond
Память · EEPROM/Flash память
GD25Q32ESIG
GigaDevice
Память · EEPROM/Flash память
W25Q32JV ↔ GD25Q32ESIG
GD25Q32E: 32Mb (4MB) SPI NOR Flash, E-revision. 2.7-3.6В, 133МГц, SOP8 208mil (wide body). Нюансы: (1) GD25Q32E имеет улучшенную производительность по сравнению с C-revision — Page Program 0.4мс (vs 0.7мс), Sector Erase 40мс (vs 60мс); (2) поддержка Continuous Read with Wrap для XiP; (3) Drive Strength Control (100/75/50/25%); (4) дополнительные Security Registers. 100K P/E cycles, 20-year retention. Полная command set совместимость с W25Q32JV. JEDEC ID: 0xC8 0x40 0x16. Дополнительно: доступен корпус USON8 3×2мм для компактных приложений.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.
