W25Q256JV
Winbond
Память · EEPROM/Flash память
GD25Q256DYIG
GigaDevice
Память · EEPROM/Flash память
W25Q256JV ↔ GD25Q256DYIG
GD25Q256D: 256Mb (32MB) SPI NOR Flash. 2.7-3.6В, 133МГц, Dual/Quad SPI. 4-byte addressing mode для доступа ко всему 32MB пространству. Нюансы: (1) поддержка 3-byte и 4-byte addressing — при power-up по умолчанию 3-byte (только нижние 16MB accessible), переключение командой Enter 4-Byte Mode [B7h]; (2) DYB (Dynamic Protection Bit) и PPB (Persistent Protection Bit) для granular write protection; (3) Erase timeout: 64KB Block Erase 0.3s typical, Chip Erase 120s typical (дольше чем 128Mb из-за удвоенной ёмкости). Корпус SOP8 208mil (широкий) — требует больше места на PCB. 100K P/E cycles.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.
