STGW30H120DF2
STMicroelectronics
Драйверы и ключи · IGBT
BYG30H120
BYD Semi
Драйверы и ключи · IGBT
STGW30H120DF2 ↔ BYG30H120
ST: Vce(sat)=2.1В (typ) @ IC=30А. Ptot=350Вт (est). Diode co-packaged. Qg~170нКл. td(on)=40нс, td(off)=250нс. BYD BYG30H120: Vce(sat) 1.8-2.2В. При 30А: Pcond=54-66Вт. Для частоты 20кГц: switching losses ~40-60Вт. Требуется радиатор с Rth<0.8К/Вт.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.