SI2305CDS
Vishay
Драйверы и ключи · Малосигнальные MOSFET
SI2305
CJ
Драйверы и ключи · Малосигнальные MOSFET
SI2305CDS ↔ SI2305
SI2305CDS (Vishay): P-CH, VDS=-8В, ID=-5.8А@TC=25°C / -4.5А@TA=25°C, RDS(on)=0.035Ω@VGS=-4.5В / 0.048Ω@VGS=-2.5В / 0.065Ω@VGS=-1.8В, Qg(typ)=12нКл, Ciss=1300пФ, tr=12нс, tf=15нс, VGS(th)=-0.4…-1.0В. SI2305 (CJ): P-CH, VDS=-8В, ID=-4.5А, RDS(on)=35-90мОм. Критическое отличие: VDS всего -8В — НЕ допустимо для питания >6В с учётом индуктивных выбросов! У Vishay дополнительный margin. RDS(on) у CJ может быть до 2.5 раз выше при VGS=-2.5В. Для Li-ion приложений (3.3-4.2В) с токами <3А замена работает. При VGS=-1.8В проверить RDS(on) — может критично для battery-powered circuits.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.