SGM722XS

LM358 ↔ SGM722XS

LM358 (TI) [GBW 0.7MHz, SR 0.3V/μs, Vos 7mV max, CMRR 80dB, 3-30V supply, bipolar input, 0 to +70°C] ↔ SGM722XS (SGMICRO) [GBW 11MHz, SR 8.5V/μs, Vos 4mV max, CMOS RRIO, 2.1-5.5V, noise 8.5nV/√Hz, -40 to +125°C]. SGM722 значительно ПРЕВОСХОДИТ LM358 по скорости (GBW 15x, SR 28x), но КРИТИЧЕСКИЕ отличия: (1) максимальное питание SGM722 только 5.5V против 30V у LM358 — в системах с ±12V или +24V замена невозможна; (2) CMOS входы SGM722 требуют защиты от перенапряжения свыше 5.5V; (3) input bias current у SGM722 типично 10pA против 150nA у LM358 — в схемах с высокоомными резисторами (>1MΩ) это преимущество, но в схемах где bias current создаёт рабочую точку — поведение изменится. Pinout совместим. Температура до +125°C у SGM722 против 0..+70°C у базового LM358 — улучшение.