Sunme
Electronic component supply
Direct supplies from leading global manufacturers
PCB design
Printed circuit board design of any complexity
Software development
Embedded systems and microprocessor software
Import substitution
Replacing foreign components with Russian analogues
Supplier audits in China
On-site factory and supplier verification in China
Integrated supplies
Full cycle from components to finished product
Discuss project →
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUConsultation
Sunme

Directions

Electronic component supplyPCB designSoftware developmentImport substitutionSupplier audits in ChinaIntegrated supplies
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUSwitch language
Consultation
Sunme

Electronic component supply and technology solutions for your manufacturing

Services

  • Component supply
  • PCB design
  • Software development
  • Import substitution
  • China audit
  • Integrated supplies

Company

  • About us
  • Cases
  • Knowledge base
  • Careers
  • Contacts

Support

  • FAQ
  • Glossary
  • Privacy policy
  • Legal details

Subscribe to newsletter

Engineering materials, guides and cases every two weeks

© 2026 Sunme. All rights reserved.

Privacy policy
← Microbase|Microbase
SGM65HVD231 — аналоги и замены | Microbase
Главная/Интерфейсы/CAN transceiver 3.3V/SGM65HVD231

SGM65HVD231

SGMICROVerifiedSOIC-8

Аналоги и замены (1)

OEM part number

SN65HVD231

Texas Instruments

Интерфейсы · CAN transceiver 3.3V

CN part number

SGM65HVD231

SGMICRO

Интерфейсы · CAN transceiver 3.3V

VerifiedPin-to-PinSOIC-8
CAN 3.3V 1MbpsSleep mode 40nAISO 11898-2SOIC-8

Комментарии об отличиях

SN65HVD231 ↔ SGM65HVD231

SN65HVD231 (TI) [CAN 3.3V, Sleep mode 40nA, ±16kV ESD, tloop 70..135ns] ↔ SGM65HVD231 (SGMICRO). Pin-to-pin совместимы. Отличия: (1) Sleep current: TI — 40nA typical (1uA max); SGM65HVD231 — типично 100..200nA, что на порядок выше. Критично для battery-powered приложений. (2) Wake-up time: TI — 3..5us из Sleep; SGM — 5..8us. При быстром старте шины после sleep может потеряться первый бит. (3) ESD: TI ±16kV HBM; SGM — обычно ±8kV. (4) Vref pin (pin 5): TI — 0.45..0.55*VCC (-5..+5uA); SGM — проверить диапазон выходного тока, может отличаться. (5) Thermal shutdown: TI — 160°C; SGM — обычно 150°C. Рекомендуется проверить tWAKE при battery-operated системах.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.