Sunme
Electronic component supply
Direct supplies from leading global manufacturers
PCB design
Printed circuit board design of any complexity
Software development
Embedded systems and microprocessor software
Import substitution
Replacing foreign components with Russian analogues
Supplier audits in China
On-site factory and supplier verification in China
Integrated supplies
Full cycle from components to finished product
Discuss project →
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUConsultation
Sunme

Directions

Electronic component supplyPCB designSoftware developmentImport substitutionSupplier audits in ChinaIntegrated supplies
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUSwitch language
Consultation
Sunme

Electronic component supply and technology solutions for your manufacturing

Services

  • Component supply
  • PCB design
  • Software development
  • Import substitution
  • China audit
  • Integrated supplies

Company

  • About us
  • Cases
  • Knowledge base
  • Careers
  • Contacts

Support

  • FAQ
  • Glossary
  • Privacy policy
  • Legal details

Subscribe to newsletter

Engineering materials, guides and cases every two weeks

© 2026 Sunme. All rights reserved.

Privacy policy
← Microbase|Microbase
Главная/Интерфейсы/CAN transceiver 5V low P/SGM65HVD1040

SGM65HVD1040

SGMICROVerifiedSOIC-8

Аналоги и замены (1)

OEM part number

SN65HVD1040

Texas Instruments

Интерфейсы · CAN transceiver 5V low P

CN part number

SGM65HVD1040

SGMICRO

Интерфейсы · CAN transceiver 5V low P

VerifiedPin-to-PinSOIC-8
CAN 5V 1MbpsLow power modeTXD dominant timeoutSOIC-8

Комментарии об отличиях

SN65HVD1040 ↔ SGM65HVD1040

SN65HVD1040 (TI) [CAN 5V, Low power, TXD dominant timeout, ±16kV ESD] ↔ SGM65HVD1040 (SGMICRO) [CAN 5V, Low power]. Отличия: (1) TI имеет встроенный TXD dominant timeout (защита от зависшего TXD); SGM — аналогично, но timeout время может отличаться (TI ~3..8ms, SGM ~5..12ms). (2) Standby current: TI — 10uA typ; SGM — 20..50uA. (3) ESD: TI ±16kV HBM; SGM ±8kV. (4) Loop delay: TI 70..120ns; SGM 80..140ns. (5) Input impedance: TI 40kΩ diff min; SGM 30kΩ. (6) Overtemperature protection: TI 160°C; SGM 150°C. Прямая замена для большинства применений.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.