S25FL256S
Infineon
Память · Память (NOR)
GD25Q256E
GigaDevice
Память · Память (NOR)
S25FL256S ↔ GD25Q256E
S25FL256S (Infineon): 256Mbit FL-S Flash, MIRRORBIT, SPI x1/x2/x4, 133MHz SDR/66MHz DDR, 4-byte address, 64KB uniform sectors, endurance 100K, erase cycle chip 180s. GD25Q256E (GigaDevice): 256Mbit, SPI x1/x2/x4, 133MHz SDR only, 2.7-3.6V, 4-byte address, 4KB/32KB/64KB erase, endurance 100K. Отличия: S25FL256S поддерживает DDR read (до 80MB/s), GD25Q256E только SDR (~66MB/s quad). Infineon имеет более гибкий Hybrid Sector Architecture (смешанные 4KB/64KB секторы), GigaDevice — стандартный uniform 64KB. GD25Q256E требует 4-byte address mode после power-on (отсутствует 3-byte legacy mode для полного адресного пространства), S25FL256S поддерживает оба режима динамически. Различаются команды Deep Power Down (B9) — тайминги выхода из power-down отличаются на 5-10 мкс. Для высокоскоростных bootloader-ов рекомендуется тестировать Quad Read тайминги на целевой частоте.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.
