RS721P-Q1

LMV721-Q1 ↔ RS721P-Q1

LMV721-Q1: GBW 10 MHz, SR 4.9-5.25 V/μs, Vos 0.02 mV typ (3 mM max), noise 8.5-9 nV/√Hz, Iq 0.93-1.03 mA, питание 2.2-5.0V, BIPOLAR вход (IB 260 nA). RS721P-Q1: GBW 13 MHz, SR 8 V/μs, Vos ~±0.5 mV (max ~2 mM), noise ~9.5 nV/√Hz, Iq ~1.1 mA, питание 2.7-5.5V, CMOS (IB 1 pA). Ключевое отличие: bipolar vs CMOS вход. LMV721-Q1 имеет ultra-low typ Vos (20 μV!) но high IB (260 nA); RS721P-Q1 — ultra-low IB (1 pA) но worse Vos (500 μV typ). В high-Z приложениях (>100kΩ) RS721P-Q1 предпочтительнее. Питание LMV721-Q1 только до 5.0V.