Sunme
Electronic component supply
Direct supplies from leading global manufacturers
PCB design
Printed circuit board design of any complexity
Software development
Embedded systems and microprocessor software
Import substitution
Replacing foreign components with Russian analogues
Supplier audits in China
On-site factory and supplier verification in China
Integrated supplies
Full cycle from components to finished product
Discuss project →
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUConsultation
Sunme

Directions

Electronic component supplyPCB designSoftware developmentImport substitutionSupplier audits in ChinaIntegrated supplies
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUSwitch language
Consultation
Sunme

Electronic component supply and technology solutions for your manufacturing

Services

  • Component supply
  • PCB design
  • Software development
  • Import substitution
  • China audit
  • Integrated supplies

Company

  • About us
  • Cases
  • Knowledge base
  • Careers
  • Contacts

Support

  • FAQ
  • Glossary
  • Privacy policy
  • Legal details

Subscribe to newsletter

Engineering materials, guides and cases every two weeks

© 2026 Sunme. All rights reserved.

Privacy policy
← Microbase|Microbase
Главная/Драйверы и ключи/MOSFET (N-канал)/NCE3060K

NCE3060K

NCEPowerVerifiedTO-252 (DPAK)

Аналоги и замены (1)

OEM part number

IPD30N06S2L-23

Infineon

Драйверы и ключи · MOSFET (N-канал)

CN part number

NCE3060K

NCEPower

Драйверы и ключи · MOSFET (N-канал)

VerifiedPartialTO-252 (DPAK)
Vds=30В (vs 55В)Id=60А (vs 30А)Rds(on)=3.2-4мОм@10В (vs 23мОм)Vgs(th)=1-2В (logic level)Qg~51нКл

Комментарии об отличиях

IPD30N06S2L-23 ↔ NCE3060K

IPD30N06S2L-23: Vds=55В, Id=30А, Rds(on)=23мОм@10В, Qg=22нКл, TO-252 (Infineon logic-level). NCE3060K: Vds=30В (vs 55В — ограничение для >24В!), Id=60А (вдвое выше!), Rds(on)=3.2-4мОм@10В (в 6-7 раз лучше!!). Qg~51нКл (выше из-за большего кристалла). Это премиальная замена по conduction losses — Rds(on) в 6 раз ниже означает Pcond = I²*R снижается в 6 раз! Но Vds=30В ограничивает применение. Для 12-24В high-current (motor drive, battery management) — отлично. Gate driver должен обеспечить Qg=51нКл.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.