IS62WV12816
ISSI
Память · Память (SRAM)
LY62W12816
LYontek
Память · Память (SRAM)
IS62WV12816 ↔ LY62W12816
IS62WV12816 (ISSI): 2Mbit (128Kx16) low power CMOS SRAM, 2.3-3.6V, access time 55ns/70ns, standby 10мкА, operating 30mA, TSOP-44. LY62W12816 (LYontek): 2Mbit (128Kx16), 2.7-3.6V, 55ns access, standby 8мкА, operating 25mA, TSOP-44. Отличия: ISSI имеет более широкий voltage range (2.3V min vs 2.7V у LYontek), что обеспечивает margin в low-voltage системах (1.8V+10%). У LYontek lower standby current (8мкА vs 10мкА) и lower operating current (25mA vs 30mA). Напряжение data retention: ISSI 1.0V min, LYontek 1.5V min — ISSI лучше для battery-backed приложений. Обе микросхемы имеют стандартную распиновку TSOP-44 async SRAM. При замене в 3.3V системах — прямая замена. Если питание может проседать до 2.5V — ISSI предпочтительнее.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.
