Sunme
Electronic component supply
Direct supplies from leading global manufacturers
PCB design
Printed circuit board design of any complexity
Software development
Embedded systems and microprocessor software
Import substitution
Replacing foreign components with Russian analogues
Supplier audits in China
On-site factory and supplier verification in China
Integrated supplies
Full cycle from components to finished product
Discuss project →
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUConsultation
Sunme

Directions

Electronic component supplyPCB designSoftware developmentImport substitutionSupplier audits in ChinaIntegrated supplies
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUSwitch language
Consultation
Sunme

Electronic component supply and technology solutions for your manufacturing

Services

  • Component supply
  • PCB design
  • Software development
  • Import substitution
  • China audit
  • Integrated supplies

Company

  • About us
  • Cases
  • Knowledge base
  • Careers
  • Contacts

Support

  • FAQ
  • Glossary
  • Privacy policy
  • Legal details

Subscribe to newsletter

Engineering materials, guides and cases every two weeks

© 2026 Sunme. All rights reserved.

Privacy policy
← Microbase|Microbase
Главная/Драйверы и ключи/Драйверы силовых ключей (Gate Driver)/IR2110

IR2110

InfineonNeeds adaptationSOIC-8

Аналоги и замены (1)

OEM part number

IR2110

Infineon

Драйверы и ключи · Драйверы силовых ключей (Gate Driver)

CN part number

EG3113

EGmicro

Драйверы и ключи · Драйверы силовых ключей (Gate Driver)

Needs adaptationPartialSOIC-8
Vbootstrap=600ВVcc=10-20ВIout=3А/4А source/sink500кГцdead-timeUVLO

Комментарии об отличиях

IR2110 ↔ EG3113

EG3113: УЛЬТРАМОЩНЫЙ аналог IR2110. Параметры: Vbootstrap=600В, Iout=3А source/4А sink (vs 2А/2А у IR2110) — на 50-100% мощнее. Для MOSFET с Qg>100нЦ обеспечивает фронты <30нс. Отличия: 1) SOIC-8 (vs DIP-14) — распиновка не совпадает, требуется переразводка; 2) Propagation delay: ~280нс on/200нс off (vs 120нс/94нс) — в 2.3 раза дольше, ПРАКТИЧЕСКИЙ максимум ~150-200кГц PWM (vs 500кГц у IR2110); 3) Встроенный dead-time (200-400нс) + interlock; 4) UVLO обеих сторон. Критичный нюанс: при высокой емкостной нагрузке (большой MOSFET/IGBT) 4А sink current может вызвать ground bounce — требуется качественная разводка GND (separate power/signal ground).

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.