IR2101
Infineon
Драйверы и ключи · Gate Drivers
EG2101
EGmicro
Драйверы и ключи · Gate Drivers
IR2101 ↔ EG2101
IR2101 (Infineon): High/Low side driver, Voffset=600В, VCC=10-20В, IO+/-=0.2/0.4А (source/sink), ton=160нс, toff=150нс, tr=100нс, tf=50нс, delay matching MT=50нс max, dead time built-in, LO/HO outputs in phase with inputs. EG2101 (EGmicro): Аналогичная архитектура, 600В, VCC=10-20В, IO+/-~0.3/0.6А. Отличия: EG2101 может иметь более высокий peak output current (0.3/0.6А vs 0.2/0.4А) — лучше для больших MOSFET/IGBT. Propagation delay может отличаться на ±20-30нс — проверить dead time в приложении. CMR (common mode rejection) у EGmicro не специфицирован — критично для драйверов на 600В в harsh environment. UVLO thresholds: VCC=8.9/8.2В (ON/OFF) — совпадают. Для PWM <100кГц замена прямая.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.