IKW25N120H3
Infineon
Драйверы и ключи · IGBT
BYG25T120
BYD Semi
Драйверы и ключи · IGBT
IKW25N120H3 ↔ BYG25T120
Infineon: Vce(sat)=1.7В (typ) @25°C, 2.1В @175°C. Qg~250нКл. Ptot=270Вт. Diode: VF=1.7В. BYD BYG25T120: Vce(sat) типично 1.5-2.0В. Для инверторов/сварки: switching frequency 15-30кГц. Dead time: 1.5-3мкс. Rth(j-c): 0.6К/Вт.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.
