GS8552

LM358 ↔ GS8552

LM358 (TI) [GBW 0.7MHz, SR 0.3V/μs, Vos 7mV max, 3-30V, bipolar, 0..+70°C] ↔ GS8552 (Gainsil/GlobalSemi) [GBW 1.8MHz, SR 0.95V/μs, Vos 30μV (!), zero-drift, RRIO, 1.8-5.5V, CMRR 110dB, noise 38nV/√Hz, -40 to +125°C]. GS8552 — precision zero-drift ОУ, значительно превосходит LM358 по точности (Vos 30μV vs 7mV — в 230 раз лучше!). КРИТИЧЕСКИЕ ограничения: (1) питание max 5.5V против 30V у LM358 — совершенно разные классы устройств; (2) zero-drift архитектура создаёт switching noise (charge injection) на частоте автоzero — в чувствительных аудиоприложениях возможен тональный шум; (3) noise 38nV/√Hz выше, чем типичные bipolar ОУ. Подходит только для low-voltage прецизионных приложений (сенсорные интерфейсы, токовые шунты) с питанием ≤5.5V.