W25Q64JV
Winbond
Память · EEPROM/Flash память
GD25Q64ESIG
GigaDevice
Память · EEPROM/Flash память
W25Q64JV ↔ GD25Q64ESIG
GD25Q64E: 64Mb (8MB) SPI NOR Flash, E-revision (enhanced). 2.7-3.6В, 133МГц, SOP-8 208mil (wide body). Нюансы: (1) E-revision improvements: Page Program 0.4мс (vs 0.7мс C-rev), Sector Erase 40мс (vs 60мс); (2) Continuous Read with Wrap (8/16/32/64-byte) для XiP; (3) Drive Strength Control (100/75/50/25%) для impedance matching; (4) улучшенная manufacturing process — лучше yield и long-term reliability. Корпус 208mil (5.28мм body width) vs 150mil (3.81мм) — удобнее для ручного монтажа. Полная command compatibility с W25Q64JV. Рекомендуемый выбор для всех новых проектов.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.