W25Q16JV
Winbond
Память · EEPROM/Flash память
GD25Q16CTIG
GigaDevice
Память · EEPROM/Flash память
W25Q16JV ↔ GD25Q16CTIG
GD25Q16CTIG (GigaDevice): 16Mb (2MB) SPI NOR Flash. Clock до 120MHz (vs 133MHz у W25Q16JV) — slightly ниже, но в большинстве приложений не критично. Полная совместимость command set (Read, Fast Read, Page Program, Sector Erase, Chip Erase, Read JEDEC ID). Security registers / OTP — verify совпадение. Write-protection schemes (BP0-BP3, SRP) — verify. GigaDevice GD25Q16CTIG: erase time sector 60ms typical (vs 45ms у Winbond) — slightly дольше. Нюанс: для bootloader code — verify Fast Read Quad I/O timing совпадение.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.