LM5113
Texas Instruments
Драйверы и ключи · Gate Drivers (GaN)
EG2761
EGmicro
Драйверы и ключи · Gate Drivers (GaN)
LM5113 ↔ EG2761
LM5113 (TI) ↔ EG2761 (EGmicro) [100V GaN Half-Bridge Driver]: Отличия: LM5113 — 100V compound gate driver для GaN, 1A source/2A sink, dual independent inputs, propagation delay 30ns, 1Ω output impedance. EG2761 заявлен как pin-to-pin. Проверить: independent high-side/low-side inputs (yes/no), UVLO level (LM5113: 3.6V/3.1V), dead time (LM5113: fixed 4ns internal). Критичен parameter: bootstrap leakage current — GaN FETs имеют low gate charge, и bootstrap capacitor должен поддерживать voltage на протяжении off-time. LM5113 optimized для 5V drive — проверить compatibility с 6V GaN drive.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.
