FGH40N60
ON Semiconductor
Драйверы и ключи · IGBT
BYG40T60
BYD Semi
Драйверы и ключи · IGBT
FGH40N60 ↔ BYG40T60
BYG40T60: 600В/40А Fieldstop IGBT от BYD. VCE(sat) тип. 1.9В @IC=40А (совпадает с FGH40N60SMD). Отличия: switching energy у BYD выше: Eoff тип. 0.15-0.18мДж/А (vs 0.13мДж/А у ON Semi) — при 40кГц дополнительные потери ~8-12Вт. Qg тип. 100-120нКл (vs 90-100нКл у FGH), фронты при RG=10Ом удлинятся на 15-20нс. Встроенный диод VF у BYG выше (1.8-2.0В vs 1.7В), прямых потерь больше. Критично: dv/dt ruggedness у BYD часто ниже — при hard switching с индуктивной нагрузкой рекомендуется snubber (RC или RCD) на коллекторе.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.
