Sunme
Electronic component supply
Direct supplies from leading global manufacturers
PCB design
Printed circuit board design of any complexity
Software development
Embedded systems and microprocessor software
Import substitution
Replacing foreign components with Russian analogues
Supplier audits in China
On-site factory and supplier verification in China
Integrated supplies
Full cycle from components to finished product
Discuss project →
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUConsultation
Sunme

Directions

Electronic component supplyPCB designSoftware developmentImport substitutionSupplier audits in ChinaIntegrated supplies
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUSwitch language
Consultation
Sunme

Electronic component supply and technology solutions for your manufacturing

Services

  • Component supply
  • PCB design
  • Software development
  • Import substitution
  • China audit
  • Integrated supplies

Company

  • About us
  • Cases
  • Knowledge base
  • Careers
  • Contacts

Support

  • FAQ
  • Glossary
  • Privacy policy
  • Legal details

Subscribe to newsletter

Engineering materials, guides and cases every two weeks

© 2026 Sunme. All rights reserved.

Privacy policy
← Microbase|Microbase
Главная/Прочие/Разное/74LVC1G126

74LVC1G126

Texas InstrumentsVerifiedSOT23-5/SC70-5

Аналоги и замены (1)

OEM part number

74LVC1G126

Texas Instruments

Прочие · Разное

CN part number

RS1G126

Run-IC

Прочие · Разное

VerifiedPin-to-PinSOT23-5/SC70-5
Vcc 1.65-5.5V5V tolerant inputs±24mA drivetpd 1.4-8.8nsIoff-40~125°C

Комментарии об отличиях

74LVC1G126 ↔ RS1G126

74LVC1G126 (TI) ↔ RS1G126 (RUNIC) [Bus Buffer, 3-State, Active-High Enable]: Полная функциональная и электрическая совместимость LVC→LVC. Оба устройства — single buffer с 3-state выходом и active-high OE. Ключевые параметры совпадают: Vcc 1.65~5.5V, 5V tolerant inputs (VI=0~5.5V), VIH/VIL = 0.65xVcc/0.35xVcc, output drive ±24mA @ 3V / ±32mA @ 4.5V. tpd у RS1G126-Q1: 1.4~8.8ns (vs TI 2.1~4.3ns typical) — сопоставимо. У RS1G126 Icc max 1uA (в 10 раз лучше TI 10uA max). ESD HBM ±8000V у RUNIC vs ±2000V у TI — преимущество. Нюанс: RS1G126 доступен только в SOT23-5 и SC70-5; в корпусе XDFN1x1-6L (DFN6) отсутствует — проверить footprint при переходе с миниатюрных корпусов TI. Для active-high enable: OE должен быть привязан к GND через pull-down при power-up чтобы гарантировать Hi-Z состояние.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.