Sunme
Поставка электронных компонентов
Прямые поставки от ведущих мировых производителей
Дизайн печатной платы (PCB)
Проектирование печатных плат любой сложности
Разработка ПО
Встраиваемые системы и микропроцессорное ПО
Импортозамещение
Замена зарубежных компонентов на российские аналоги
Аудит поставщиков в КНР
Выездная проверка фабрик и поставщиков в Китае
Комплексные поставки
Полный цикл от компонентов до готового изделия
Обсудить проект →
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENКонсультация
Sunme

Направления

Поставка электронных компонентовДизайн печатной платы (PCB)Разработка ПОИмпортозамещениеАудит поставщиков в КНРКомплексные поставки
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENПереключить язык
Консультация
Sunme

Поставка электронных компонентов и технологических решений для вашего производства

Услуги

  • Поставка компонентов
  • Дизайн печатной платы (PCB)
  • Разработка ПО
  • Импортозамещение
  • Аудит КНР
  • Комплексные поставки

Компания

  • О нас
  • Кейсы
  • База знаний
  • Вакансии
  • Контакты

Поддержка

  • FAQ
  • Глоссарий
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты

Подписка на рассылку

Инженерные материалы, гайды и кейсы раз в две недели

© 2026 Sunme. Все права защищены.

Политика конфиденциальности
← Microbase|Microbase
Главная/Драйверы и ключи/Драйверы силовых ключей (Gate Driver)/IR2110

IR2110

InfineonТребует адаптацииSOIC-8

Аналоги и замены (1)

OEM партномер

IR2110

Infineon

Драйверы и ключи · Драйверы силовых ключей (Gate Driver)

CN партномер

EG3113

EGmicro

Драйверы и ключи · Драйверы силовых ключей (Gate Driver)

Требует адаптацииЧастичнаяSOIC-8
Vbootstrap=600ВVcc=10-20ВIout=3А/4А source/sink500кГцdead-timeUVLO

Комментарии об отличиях

IR2110 ↔ EG3113

EG3113: УЛЬТРАМОЩНЫЙ аналог IR2110. Параметры: Vbootstrap=600В, Iout=3А source/4А sink (vs 2А/2А у IR2110) — на 50-100% мощнее. Для MOSFET с Qg>100нЦ обеспечивает фронты <30нс. Отличия: 1) SOIC-8 (vs DIP-14) — распиновка не совпадает, требуется переразводка; 2) Propagation delay: ~280нс on/200нс off (vs 120нс/94нс) — в 2.3 раза дольше, ПРАКТИЧЕСКИЙ максимум ~150-200кГц PWM (vs 500кГц у IR2110); 3) Встроенный dead-time (200-400нс) + interlock; 4) UVLO обеих сторон. Критичный нюанс: при высокой емкостной нагрузке (большой MOSFET/IGBT) 4А sink current может вызвать ground bounce — требуется качественная разводка GND (separate power/signal ground).

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.