Sunme
Поставка электронных компонентов
Прямые поставки от ведущих мировых производителей
Дизайн печатной платы (PCB)
Проектирование печатных плат любой сложности
Разработка ПО
Встраиваемые системы и микропроцессорное ПО
Импортозамещение
Замена зарубежных компонентов на российские аналоги
Аудит поставщиков в КНР
Выездная проверка фабрик и поставщиков в Китае
Комплексные поставки
Полный цикл от компонентов до готового изделия
Обсудить проект →
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENКонсультация
Sunme

Направления

Поставка электронных компонентовДизайн печатной платы (PCB)Разработка ПОИмпортозамещениеАудит поставщиков в КНРКомплексные поставки
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENПереключить язык
Консультация
Sunme

Поставка электронных компонентов и технологических решений для вашего производства

Услуги

  • Поставка компонентов
  • Дизайн печатной платы (PCB)
  • Разработка ПО
  • Импортозамещение
  • Аудит КНР
  • Комплексные поставки

Компания

  • О нас
  • Кейсы
  • База знаний
  • Вакансии
  • Контакты

Поддержка

  • FAQ
  • Глоссарий
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты

Подписка на рассылку

Инженерные материалы, гайды и кейсы раз в две недели

© 2026 Sunme. Все права защищены.

Политика конфиденциальности
← Microbase|Microbase
Главная/Прочие/Разное/74LVC1G126

74LVC1G126

Texas InstrumentsВерифицированоSOT23-5/SC70-5

Аналоги и замены (1)

OEM партномер

74LVC1G126

Texas Instruments

Прочие · Разное

CN партномер

RS1G126

Run-IC

Прочие · Разное

ВерифицированоPin-to-PinSOT23-5/SC70-5
Vcc 1.65-5.5V5V tolerant inputs±24mA drivetpd 1.4-8.8nsIoff-40~125°C

Комментарии об отличиях

74LVC1G126 ↔ RS1G126

74LVC1G126 (TI) ↔ RS1G126 (RUNIC) [Bus Buffer, 3-State, Active-High Enable]: Полная функциональная и электрическая совместимость LVC→LVC. Оба устройства — single buffer с 3-state выходом и active-high OE. Ключевые параметры совпадают: Vcc 1.65~5.5V, 5V tolerant inputs (VI=0~5.5V), VIH/VIL = 0.65xVcc/0.35xVcc, output drive ±24mA @ 3V / ±32mA @ 4.5V. tpd у RS1G126-Q1: 1.4~8.8ns (vs TI 2.1~4.3ns typical) — сопоставимо. У RS1G126 Icc max 1uA (в 10 раз лучше TI 10uA max). ESD HBM ±8000V у RUNIC vs ±2000V у TI — преимущество. Нюанс: RS1G126 доступен только в SOT23-5 и SC70-5; в корпусе XDFN1x1-6L (DFN6) отсутствует — проверить footprint при переходе с миниатюрных корпусов TI. Для active-high enable: OE должен быть привязан к GND через pull-down при power-up чтобы гарантировать Hi-Z состояние.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.

74LVC1G126 — аналоги и замены | Microbase