STGW40H120DF2

STMicroelectronicsВерифицированоTO-247

Аналоги и замены (1)

OEM партномер

STGW40H120DF2

STMicroelectronics

Драйверы и ключи · IGBT

CN партномер

BYG40H120

BYD Semi

Драйверы и ключи · IGBT

ВерифицированоPin-to-PinTO-247

1200В40АTrench FS

Комментарии об отличиях

STGW40H120DF2 ↔ BYG40H120

ST STGW40H120DF2: 1200В, 40А, H-series Trench FS. Vce(sat)=2.1В (typ) @25°C. Ptot=468Вт. Diode: ultrafast recovery, trr~100-200нс. Qg~200нКл. Short-circuit: 10мкс. BYD BYG40H120: Vce(sat) 1.8-2.3В. Switching energy Ets: 5-10мДж. Для сварки/UPS: dead time 2-3мкс. Rth(j-c): 0.45К/Вт.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.