Sunme
Поставка электронных компонентов
Прямые поставки от ведущих мировых производителей
Дизайн печатной платы (PCB)
Проектирование печатных плат любой сложности
Разработка ПО
Встраиваемые системы и микропроцессорное ПО
Импортозамещение
Замена зарубежных компонентов на российские аналоги
Аудит поставщиков в КНР
Выездная проверка фабрик и поставщиков в Китае
Комплексные поставки
Полный цикл от компонентов до готового изделия
Обсудить проект →
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENКонсультация
Sunme

Направления

Поставка электронных компонентовДизайн печатной платы (PCB)Разработка ПОИмпортозамещениеАудит поставщиков в КНРКомплексные поставки
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENПереключить язык
Консультация
Sunme

Поставка электронных компонентов и технологических решений для вашего производства

Услуги

  • Поставка компонентов
  • Дизайн печатной платы (PCB)
  • Разработка ПО
  • Импортозамещение
  • Аудит КНР
  • Комплексные поставки

Компания

  • О нас
  • Кейсы
  • База знаний
  • Вакансии
  • Контакты

Поддержка

  • FAQ
  • Глоссарий
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты

Подписка на рассылку

Инженерные материалы, гайды и кейсы раз в две недели

© 2026 Sunme. Все права защищены.

Политика конфиденциальности
← Microbase|Microbase
Главная/Прочие/Разное/SN74LVC1G125

SN74LVC1G125

Texas InstrumentsВерифицированоSOT23-5/SC70-5/XDFN1X1-6

Аналоги и замены (1)

OEM партномер

SN74LVC1G125

Texas Instruments

Прочие · Разное

CN партномер

RS1G125

Run-IC

Прочие · Разное

ВерифицированоPin-to-PinSOT23-5/SC70-5/XDFN1X1-6
Vcc 1.65-5.5V5V tolerant inputs±24mA driveactive-low OEIoff-40~125°C

Комментарии об отличиях

SN74LVC1G125 ↔ RS1G125

SN74LVC1G125 (TI) ↔ RS1G125 (RUNIC) [Bus Buffer, 3-State, Active-Low OE]: Полная pin-to-pin совместимость. Оба LVC single buffer с active-low OE, распиновка идентична: pin1=/OE, pin2=A, pin3=GND, pin4=Y, pin5=Vcc. Электрические параметры совпадают: Vcc 1.65~5.5V, 5V tolerant inputs, VIH=0.65xVcc, output drive ±24mA @ 3V / ±32mA @ 4.5V. RS1G125 имеет более низкое статическое потребление (Icc 1uA max vs 10uA) и более высокую ESD-защиту (HBM ±8000V vs ±2000V). Switching characteristics @ 3.3V: tpd typ 4.0ns (RS1G125) vs 3.5ns (TI), ten/tdis в пределах 10% — отличия несущественны для большинства применений. Нюанс: при работе на частотах >50 MHz с критичными требованиями к skew рекомендуется проверить фактические задержки на макете.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.