Sunme
Поставка электронных компонентов
Прямые поставки от ведущих мировых производителей
Дизайн печатной платы (PCB)
Проектирование печатных плат любой сложности
Разработка ПО
Встраиваемые системы и микропроцессорное ПО
Импортозамещение
Замена зарубежных компонентов на российские аналоги
Аудит поставщиков в КНР
Выездная проверка фабрик и поставщиков в Китае
Комплексные поставки
Полный цикл от компонентов до готового изделия
Обсудить проект →
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENКонсультация
Sunme

Направления

Поставка электронных компонентовДизайн печатной платы (PCB)Разработка ПОИмпортозамещениеАудит поставщиков в КНРКомплексные поставки
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENПереключить язык
Консультация
Sunme

Поставка электронных компонентов и технологических решений для вашего производства

Услуги

  • Поставка компонентов
  • Дизайн печатной платы (PCB)
  • Разработка ПО
  • Импортозамещение
  • Аудит КНР
  • Комплексные поставки

Компания

  • О нас
  • Кейсы
  • База знаний
  • Вакансии
  • Контакты

Поддержка

  • FAQ
  • Глоссарий
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты

Подписка на рассылку

Инженерные материалы, гайды и кейсы раз в две недели

© 2026 Sunme. Все права защищены.

Политика конфиденциальности
← Microbase|Microbase
Главная/Интерфейсы/CAN transceiver 5V/SN65HVD253

SN65HVD253

Texas InstrumentsВерифицированоSOIC-8

Аналоги и замены (1)

OEM партномер

SN65HVD253

Texas Instruments

Интерфейсы · CAN transceiver 5V

CN партномер

SGM65HVD253

SGMICRO

Интерфейсы · CAN transceiver 5V

ВерифицированоPin-to-PinSOIC-8
CAN 5V 1MbpsISO 11898-2Sleep modeSOIC-8

Комментарии об отличиях

SN65HVD253 ↔ SGM65HVD253

SN65HVD253 (TI) [CAN 5V, Sleep mode 40nA, ±16kV ESD] ↔ SGM65HVD253 (SGMICRO). Отличия: (1) Sleep current: TI — 40nA typ (1uA max); SGM — 100..500nA typ (на 1-2 порядка выше). Критично для battery-powered/automotive sleep mode. (2) Wake-up time: TI 3..5us; SGM 5..10us. (3) ESD: TI ±16kV HBM; SGM ±8kV. (4) TXD dominant timeout: TI — absent; SGM — может присутствовать (проверить), если есть — блокирует передачу >1ms доминантного состояния (некорректно для некоторых протоколов). (5) Input hysteresis: TI 100mV typical; SGM 80..120mV. Прямая замена с проверкой sleep current и wake-up timing.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.

SN65HVD253 — аналоги и замены | Microbase