RS8491

ADA4530-1 ↔ RS8491

ADA4530-1 [Ib: ±20fA max @25°C (±250fA @125°C), Vos: 50µV max, GBW: 2MHz unity-gain, noise: 14nV/√Hz @10kHz, guard buffer offset: 100µV max, Supply: 4.5-16V (±2.5V to ±8V), unique pinout for leakage isolation] → RS8491 [Ib: ±200fA max @25°C, Vos: 54µV typ, GBW: 3.3MHz unity-gain, noise: 14nV/√Hz @10kHz, guard buffer offset: 400µV max, Supply: 5-25V (±2.5V to ±12.5V)]. Отличия: КРИТИЧНО — у RS8491 input bias current в ~10 раз хуже (200 vs 20fA max @25°C)! Для femtoampere-level приложений (picoammeters, photodiode TIA с обратной связью >1GΩ) это может быть недопустимо. У RS8491 GBW выше (3.3 vs 2MHz), но guard buffer offset хуже (400 vs 100µV max). Питание RS8491 шире (до ±12.5V vs ±8V). При замене в high-impedance TIA (Rfb >100MΩ) leakage current 200fA создаст offset 20µV — проверить допустимость для dynamic range.