Sunme
Поставка электронных компонентов
Прямые поставки от ведущих мировых производителей
Дизайн печатной платы (PCB)
Проектирование печатных плат любой сложности
Разработка ПО
Встраиваемые системы и микропроцессорное ПО
Импортозамещение
Замена зарубежных компонентов на российские аналоги
Аудит поставщиков в КНР
Выездная проверка фабрик и поставщиков в Китае
Комплексные поставки
Полный цикл от компонентов до готового изделия
Обсудить проект →
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENКонсультация
Sunme

Направления

Поставка электронных компонентовДизайн печатной платы (PCB)Разработка ПОИмпортозамещениеАудит поставщиков в КНРКомплексные поставки
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENПереключить язык
Консультация
Sunme

Поставка электронных компонентов и технологических решений для вашего производства

Услуги

  • Поставка компонентов
  • Дизайн печатной платы (PCB)
  • Разработка ПО
  • Импортозамещение
  • Аудит КНР
  • Комплексные поставки

Компания

  • О нас
  • Кейсы
  • База знаний
  • Вакансии
  • Контакты

Поддержка

  • FAQ
  • Глоссарий
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты

Подписка на рассылку

Инженерные материалы, гайды и кейсы раз в две недели

© 2026 Sunme. Все права защищены.

Политика конфиденциальности
← Microbase|Microbase
Главная/Драйверы и ключи/Gate Drivers (GaN)/LMG1210

LMG1210

Texas InstrumentsВерифицированоQFN-12

Аналоги и замены (1)

OEM партномер

LMG1210

Texas Instruments

Драйверы и ключи · Gate Drivers (GaN)

CN партномер

EG2761

EGmicro

Драйверы и ключи · Gate Drivers (GaN)

ВерифицированоPin-to-PinQFN-12
200В1.5A/3Aполумостовый GaN driver30ns delay

Комментарии об отличиях

LMG1210 ↔ EG2761

LMG1210 (TI) ↔ EG2761 (EGmicro) [200V GaN Half-Bridge Driver]: Отличия: LMG1210 — 200V half-bridge driver optimized for GaN E-HEMT, 1.5A source/3A sink, propagation delay 30ns typ, 5ns/3ns rise/fall time. EG2761 заявлен как pin-to-pin аналог. Проверить: bootstrap diode integrated (yes/no), UVLO threshold (тип. 3.5V/3.0V для 5V logic), dead time control (fixed/adjustable). Критичен для GaN: dV/dt immunity (>100V/ns), negative gate voltage clamping (защита от false turn-on). LMG1210 имеет подавитель cross-conduction — проверить у EG2761.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.