Sunme
Поставка электронных компонентов
Прямые поставки от ведущих мировых производителей
Дизайн печатной платы (PCB)
Проектирование печатных плат любой сложности
Разработка ПО
Встраиваемые системы и микропроцессорное ПО
Импортозамещение
Замена зарубежных компонентов на российские аналоги
Аудит поставщиков в КНР
Выездная проверка фабрик и поставщиков в Китае
Комплексные поставки
Полный цикл от компонентов до готового изделия
Обсудить проект →
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENКонсультация
Sunme

Направления

Поставка электронных компонентовДизайн печатной платы (PCB)Разработка ПОИмпортозамещениеАудит поставщиков в КНРКомплексные поставки
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENПереключить язык
Консультация
Sunme

Поставка электронных компонентов и технологических решений для вашего производства

Услуги

  • Поставка компонентов
  • Дизайн печатной платы (PCB)
  • Разработка ПО
  • Импортозамещение
  • Аудит КНР
  • Комплексные поставки

Компания

  • О нас
  • Кейсы
  • База знаний
  • Вакансии
  • Контакты

Поддержка

  • FAQ
  • Глоссарий
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты

Подписка на рассылку

Инженерные материалы, гайды и кейсы раз в две недели

© 2026 Sunme. Все права защищены.

Политика конфиденциальности
← Microbase|Microbase
Главная/Аналоговые компоненты/Операционные усилители/LM358LV

LM358LV

Texas InstrumentsТребует адаптацииSOP-8

Аналоги и замены (1)

OEM партномер

LM358LV

Texas Instruments

Аналоговые компоненты · Операционные усилители

CN партномер

GS8552

Global Semi

Аналоговые компоненты · Операционные усилители

Требует адаптацииЧастичнаяSOP-8
Dual Op-Ampzero-driftRRIO1.8-5.5V

Комментарии об отличиях

LM358LV ↔ GS8552

LM358LV (TI) [GBW 1MHz, SR 1.5V/μs, Vos 3mV, 2.7-5.5V, CMOS, 90μA Iq] ↔ GS8552 (Gainsil) [GBW 1.8MHz, SR 0.95V/μs, Vos 30μV (!) max, zero-drift, RRIO, 1.8-5.5V, 180μA Iq, CMRR 110dB, noise 38nV/√Hz, -40 to +125°C]. GS8552 — precision zero-drift ОУ с великолепной точностью. Отличия: (1) Vos 30μV vs 3mV — в 100 раз лучше, идеально для sensor interface; (2) SR ниже (0.95 vs 1.5V/μs); (3) потребление в 2 раза выше (180 vs 90μA); (4) zero-drift архитектура: switching noise на автоzero-частоте — проверить спектр на критичных несущих; (5) noise 38nV/√Hz выше, чем 40nV/√Hz у LM358LV — сопоставимо. Для прецизионных low-voltage приложений — улучшенный вариант. НЕ подходит как прямая замена в high-speed приложениях.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.