EPC2016C

EPCТребует адаптацииDFN-8(8x8)

Аналоги и замены (1)

OEM партномер

EPC2016C

EPC

Драйверы и ключи · GaN FET

CN партномер

INN650D080BS

Innoscience

Драйверы и ключи · GaN FET

Требует адаптацииЧастичнаяDFN-8(8x8)

650В GaN FET80mΩ max29A continuousQg=6.2nC

Комментарии об отличиях

EPC2016C ↔ INN650D080BS

EPC2016C (EPC) ↔ INN650D080BS (Innoscience) [650V GaN FET]: Отличия: EPC2016C — 100V GaN FET (VDS=100V), 16mΩ, LGA package (2.1x1.6mm), chip-scale. INN650D080BS — 650V GaN FET, 80mΩ (60mΩ typ), DFN-8 (8x8mm). НЕСОВМЕСТИМО по напряжению! EPC2016C rated для 100V приложений (DC-DC, Class-D), INN650D080BS — для 650V AC-DC, PFC. Если нужна замена для 100V — INN650D080BS не подходит (слишком высокий RON). Для 650V: INN650D080BS имеет Qg=6.2nC, Qoss=60nC, VGS(th)=1.7V, VGS(max)=+7V/-6V. Требуется gate driver с поддержкой negative gate voltage для fast turn-off.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.