BYG25N120

BYD SemiВерифицированоTO-3P

Аналоги и замены (1)

OEM партномер

FGA25N120ANTD

ON Semiconductor

Драйверы и ключи · IGBT

CN партномер

BYG25N120

BYD Semi

Драйверы и ключи · IGBT

ВерифицированоPin-to-PinTO-3P

1200В25АIGBT+Diode

Комментарии об отличиях

FGA25N120ANTD ↔ BYG25N120

ON Semi FGA25N120ANTD: 1200В, 25А, NPT Trench. Vce(sat)=2.0В (typ) @ IC=25А, 25°C. TO-3P корпус (15.5x19.8мм). Qg=200нКл. Diode: VF=2.0В. tr=60нс. Ptot=250Вт. BYD BYG25N120: TO-3P, Vce(sat) 1.7-2.3В. Для индукционного нагрева: частота 20-40кГц. Rth(j-c): 0.6К/Вт.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.