IMW120R090M1H
Infineon
Драйверы и ключи · SiC MOSFET
B2M090120Z
Basic Semi
Драйверы и ключи · SiC MOSFET
IMW120R090M1H ↔ B2M090120Z
Infineon: RDS(on)=90мОм @VGS=18В, ID=8.5А. Qg=21нКл, Qgs=6нКл, Qgd=5нКл. Ciss=707пФ, Coss=39пФ. td(on)=5.2нс, tf=12.6нс. Switching energy @175°C: Eon=161мкДж, Eoff=19мкДж. Rth(j-c)=1.0К/Вт. B2M090120Z: проверить Ciss и Qg — для Basic Semi третьего поколения Qg обычно на 15-25% выше чем у Infineon Gen1. VGS(th) ниже (~2.5-3.5В).
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.
