IKW40N120H3
Infineon
Драйверы и ключи · IGBT
BYG40T120
BYD Semi
Драйверы и ключи · IGBT
IKW40N120H3 ↔ BYG40T120
Infineon IKW40N120H3: 1200В, 40А, Vce(sat)=2.0В (typ) @25°C, 2.4В @175°C. Anti-parallel diode: VF=1.65В. Qg=470нКл. td(on)=33нс, td(off)=330нс. Short-circuit withstand: 5мкс. BYD BYG40T120: проверить Vce(sat) — для BYD Trench FS обычно 1.8-2.2В. Switching energy Eon+Eoff: ~5-8мДж. Rth(j-c): 0.45К/Вт.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.